[发明专利]LTCC超多层生瓷直通孔版图设计及制造工艺在审
申请号: | 201711070876.3 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107799494A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 薛峻;周冬莲;张辉;何荣云 | 申请(专利权)人: | 北方电子研究院安徽有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/538;H01L21/60 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 耿英,董建林 |
地址: | 233040*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种LTCC超多层生瓷直通孔版图设计及制造工艺,超多层生瓷带采用直通孔方式进行导体互连时,生瓷带上的通孔由焊盘覆盖,焊盘包括一半圆环形区域和半圆环形区域最大直径处与信号线连接形成的过渡区;通孔的一部分由半圆环形区域包围,另一部分由过渡区包围。通过改变焊盘的设计形状及增大设计尺寸,加大焊盘的覆盖区域,当通孔与焊盘根部浆料塌陷造成导带断裂时,不影响基板的电气连接。根据生瓷带的厚度设计不同孔径的通孔,使通孔更易于充分填充。 | ||
搜索关键词: | ltcc 多层 直通 版图 设计 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种LTCC超多层生瓷直通孔版图设计及制造工艺,其特征是,超多层生瓷带采用直通孔方式进行导体互连时,生瓷带上的通孔由焊盘覆盖,焊盘包括一半圆环形区域和半圆环形区域最大直径处与信号线连接形成的过渡区;通孔的一部分由半圆环形区域包围,另一部分由过渡区包围。
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