[发明专利]多结光伏器件及其制备方法有效
申请号: | 201711071248.7 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN107845690B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 安德鲁·约翰逊;安德鲁·威廉·尼尔森;罗伯特·卡梅伦·哈伯 | 申请(专利权)人: | IQE公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/074;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭愿洁;彭家恩 |
地址: | 英国威尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 多结光伏器件及其制备方法,其中多结光伏器件是具有两个或更多由半导体材料形成的光吸收元件的多结光伏器件,其包括:第一硅锗或硅锗锡材料元件,第二硅锗锡材料元件,其中,第一硅锗或硅锗锡材料元件和所述第二硅锗锡材料元件与砷化镓晶格匹配。 | ||
搜索关键词: | 多结光伏 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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