[发明专利]一种深沟槽隔离结构在审
申请号: | 201711071285.8 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107731732A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 景蔚亮;王本艳;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 上海新储集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201500 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种深沟槽隔离结构,形成于一衬底之上的有源区结构之间的一沟槽内,沟槽及深沟槽隔离结构向下延伸至衬底中;包括覆盖沟槽内壁及底部的绝缘层,以及填充覆盖绝缘层后的沟槽的一填充层;还包括接触结构,连接填充层的上表面;金属层,形成于接触结构的上方并与接触结构连接,用于接收外部电场以改变填充层中的电位;能够通过改变深沟槽隔离结构中填充层的电位,进而阻止电荷隧穿进入填充层,以及避免深沟槽隔离结构底部的等离子损伤而残留的电荷形成的导电通道,从而改善了隔离的有源区结构之间出现的漏电流的情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 深沟 隔离 结构 | ||
【主权项】:
一种深沟槽隔离结构,形成于一衬底之上的有源区结构之间的一沟槽内,所述沟槽及所述深沟槽隔离结构向下延伸至所述衬底中;包括覆盖所述沟槽内壁及底部的绝缘层,以及填充覆盖所述绝缘层后的所述沟槽的一填充层;其特征在于,还包括:接触结构,连接所述填充层的上表面;金属层,形成于所述接触结构的上方并与所述接触结构连接,用于接收外部电场以改变所述填充层中的电位。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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