[发明专利]一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备有效

专利信息
申请号: 201711071836.0 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107991536B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 秦少瑞;张大宁;牛朝滨;丁国成;朱太云;宋东波;秦金飞;吴兴旺;张晨晨;尹睿涵 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网安徽省电力公司电力科学研究院;西安交通大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R35/00
代理公司: 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 代理人: 罗啸
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备。在频域介电谱FDS测试之前,测量电介质的温度。将高频信号施加到电介质上,得到电介质在高频信号下的介质损耗参数。根据FDS测试之前测量得到的电介质的温度,以及电介质在高频信号下的介质损耗参数,确定在高频信号下介质损耗参数与温度的对应关系。在对FDS测试时,将高频信号与待测频率信号合成,然后施加到电介质上,得到合成信号在各频点的介质损耗参数。根据合成信号各频点的介质损耗参数,以及根据高频信号下介质损耗参数与温度的对应关系,确定同一温度下待测频率信号的各频点的介质损耗参数。本发明实施例实现了精确的频域介电响应测试,能够应用于绝缘诊断领域。
搜索关键词: 一种 频域介电 响应 测试 温度 校正 方法 设备
【主权项】:
一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,所述方法包括:在频域介电谱FDS测试之前,测量电介质的温度;将高频信号施加到所述电介质上,得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数;根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度,以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数,确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系;在对所述FDS测试时,将所述高频信号与待测频率信号合成,将合成后的信号施加到所述电介质上,得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数;根据所述合成信号各频点的介质损耗参数,以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系,确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
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