[发明专利]在导电高分子上形成线路的方法及可挠式触控装置在审

专利信息
申请号: 201711072678.0 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107783697A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 蔡缘蓁 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H05K3/06
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司51226 代理人: 杨冬梅,张行知
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种在导电高分子上形成线路的方法包含以下操作。在基板上形成导电高分子层。接着,在导电高分子层上形成金属氧化层。继续于金属氧化层上形成金属层。于金属层上形成第一图案化光阻层,且第一图案化光阻层具有至少一开口暴露金属层的第一部分。使用第一蚀刻液蚀刻金属层暴露的所述第一部分以及对应所述第一部分下方的导电高分子层和金属氧化层。接着,在移除第一图案化光阻层后,形成第二图案化光阻层以暴露出金属层的第二部分。使用第二蚀刻液蚀刻金属层暴露出的第二部分。此方法可以使线路在导电高分子上具有良好的附着力。
搜索关键词: 导电 高分子 形成 线路 方法 可挠式触控 装置
【主权项】:
一种在导电高分子上形成线路的方法,其特征在于,包含:形成一导电高分子层于一基板上;形成一金属氧化层于该导电高分子层上;形成一金属层于该金属氧化层上;形成一第一图案化光阻层于该金属层上,该第一图案化光阻层具有至少一开口暴露该金属层的一第一部分;使用一第一蚀刻液蚀刻该金属层暴露的该第一部分以及对应该第一部分下方的该导电高分子层和该金属氧化层;移除该第一图案化光阻层;形成一第二图案化光阻层以暴露出该金属层的一第二部分;以及使用一第二蚀刻液蚀刻该金属层暴露出的该第二部分。
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