[发明专利]一种EFPI光纤压力传感器及其制作方法在审
申请号: | 201711072698.8 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107664548A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 隋广慧;江琴;陈爽;张慧君;张欣颍 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 |
主分类号: | G01L1/24 | 分类号: | G01L1/24 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人: | 张利萍 |
地址: | 100095*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种EFPI光纤压力传感器及其制作方法,具体涉及一种采用MEMS工艺制作的硅玻基EFPI光纤压力传感器及其制作方法,属于光纤压力传感器技术领域。压力敏感结构为两层结构,分别为压力敏感结构上层单元和压力敏感结构下层单元;所述压力敏感结构上层单元采用单晶硅晶圆片材料;所述压力敏感结构下层单元采用玻璃晶圆片材料。本发明在简化MEMS工艺复杂性的同时,能够保证构成法珀微腔的两个反射面的平行度好、粗糙度等级高,改善了干涉信号光谱质量,提高了基于MEMS工艺技术的光纤压力传感器的可靠性及整个压力传感系统的测量精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 efpi 光纤 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种EFPI光纤压力传感器,包括:压力敏感结构、圆柱形中空管和传输光纤;压力敏感结构底部与圆柱形中空管同轴固连,传输光纤穿入圆柱形中空管至压力敏感结构底部,并与圆柱形中空管封装固连,其特征在于:所述的压力敏感结构为两层结构,分别为压力敏感结构上层单元和压力敏感结构下层单元;所述压力敏感结构上层单元采用单晶硅晶圆片材料;所述压力敏感结构下层单元采用玻璃晶圆片材料。
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