[发明专利]电机控制、电源变换的功率控制用驱动电路、工作方法有效

专利信息
申请号: 201711073590.0 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN107733210B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 佛山市顺德区凯祥电器有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及电机控制、电源变换的功率控制用驱动电路、工作方法;其包括:驱动电路前级,用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压;N‑MOSFET,其栅极接驱动电路前级的电压输出端;该N‑MOSFET的栅极与源极之间设有第一电阻,N‑MOSFET的漏极接驱动电源;P‑MOSFET,其栅极接驱动集成电路的电压输出端;N‑MOSFET的源极与P‑MOSFET的源极之间设有第二电阻;被控功率控制器件,其栅极串接第三电阻后接P‑MOSFET的源极,被控功率控制器件的源极接P‑MOSFET的漏极。
搜索关键词: 电机 控制 电源 变换 功率 驱动 电路 工作 方法
【主权项】:
1.一种功率控制用驱动电路的工作方法,其特征在于,所述驱动电路包括:驱动电路前级,用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压;N‑MOSFET(Q1),其栅极(G)接所述驱动电路前级的电压输出端;该N‑MOSFET(Q1)的栅极(G)与源极(S)之间设有第一电阻(R1),N‑MOSFET(Q1)的漏极(D)接驱动电源;P‑MOSFET(Q2),其栅极(G)接所述驱动电路前级的电压输出端;所述N‑MOSFET(Q1)的源极(S)与P‑MOSFET(Q2)的源极(S)之间设有第二电阻(R2);被控功率控制器件(Q3),其栅极(G)串接第三电阻(R3)后接所述P‑MOSFET(Q2)的源极(S),所述被控功率控制器件(Q3)的源极(S)接所述P‑MOSFET(Q2)的漏极(D);所述驱动电路前级的电压输出端能输出的电压为5V‑15V,且输出电流和吸收电流的峰值不小于50mA;所述驱动电路前级的电压输出端依次串接第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和第二栅极电阻(RG2)后接P‑MOSFET(Q2)的栅极(G);所述第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的接点串接第一栅极电阻(RG1)后接N‑MOSFET(Q1)的栅极(G);所述第五电阻(R5)和第二栅极电阻(RG2)的接点串接第一电阻(R1)后接N‑MOSFET(Q1)的源极(S);所述的功率控制用驱动电路的工作方法,其特征在于包括:当所述PWM信号或逻辑信号有效时,所述驱动电路前级的电压输出端的输出电压VOUT=5V‑15V,该输出电压依次经第四、第五、第一、第二和第三电阻(R4、R5、R1、R2、R3)加到被控功率控制器件(Q3)的栅极,并形成电流输出电流(I1);该输出电压还依次经第四电阻(R4)、第一栅极电阻(RG1)加到N‑MOSFET(Q1)的栅极,使N‑MOSFET(Q1)导通并很快深度饱和,进而使被控功率控制器件(Q3)的栅极电压很快上升;随着被控功率控制器件(Q3)的栅极电压上升,所述输出电流(I1)逐渐减小,直至所述第一电阻(R1)两端的电压小于所述N‑MOSFET(Q1)的门槛电压时,N‑MOSFET(Q1)退出导通,被控功率控制器件(Q3)的栅极电压由所述驱动电路前级保持,维持被控功率控制器件(Q3)处在深度饱和区。
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