[发明专利]电机控制、电源变换的功率控制用驱动电路、工作方法有效
申请号: | 201711073590.0 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN107733210B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 佛山市顺德区凯祥电器有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及电机控制、电源变换的功率控制用驱动电路、工作方法;其包括:驱动电路前级,用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压;N‑MOSFET,其栅极接驱动电路前级的电压输出端;该N‑MOSFET的栅极与源极之间设有第一电阻,N‑MOSFET的漏极接驱动电源;P‑MOSFET,其栅极接驱动集成电路的电压输出端;N‑MOSFET的源极与P‑MOSFET的源极之间设有第二电阻;被控功率控制器件,其栅极串接第三电阻后接P‑MOSFET的源极,被控功率控制器件的源极接P‑MOSFET的漏极。 | ||
搜索关键词: | 电机 控制 电源 变换 功率 驱动 电路 工作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种功率控制用驱动电路的工作方法,其特征在于,所述驱动电路包括:驱动电路前级,用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压;N‑MOSFET(Q1),其栅极(G)接所述驱动电路前级的电压输出端;该N‑MOSFET(Q1)的栅极(G)与源极(S)之间设有第一电阻(R1),N‑MOSFET(Q1)的漏极(D)接驱动电源;P‑MOSFET(Q2),其栅极(G)接所述驱动电路前级的电压输出端;所述N‑MOSFET(Q1)的源极(S)与P‑MOSFET(Q2)的源极(S)之间设有第二电阻(R2);被控功率控制器件(Q3),其栅极(G)串接第三电阻(R3)后接所述P‑MOSFET(Q2)的源极(S),所述被控功率控制器件(Q3)的源极(S)接所述P‑MOSFET(Q2)的漏极(D);所述驱动电路前级的电压输出端能输出的电压为5V‑15V,且输出电流和吸收电流的峰值不小于50mA;所述驱动电路前级的电压输出端依次串接第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和第二栅极电阻(RG2)后接P‑MOSFET(Q2)的栅极(G);所述第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的接点串接第一栅极电阻(RG1)后接N‑MOSFET(Q1)的栅极(G);所述第五电阻(R5)和第二栅极电阻(RG2)的接点串接第一电阻(R1)后接N‑MOSFET(Q1)的源极(S);所述的功率控制用驱动电路的工作方法,其特征在于包括:当所述PWM信号或逻辑信号有效时,所述驱动电路前级的电压输出端的输出电压VOUT=5V‑15V,该输出电压依次经第四、第五、第一、第二和第三电阻(R4、R5、R1、R2、R3)加到被控功率控制器件(Q3)的栅极,并形成电流输出电流(I1);该输出电压还依次经第四电阻(R4)、第一栅极电阻(RG1)加到N‑MOSFET(Q1)的栅极,使N‑MOSFET(Q1)导通并很快深度饱和,进而使被控功率控制器件(Q3)的栅极电压很快上升;随着被控功率控制器件(Q3)的栅极电压上升,所述输出电流(I1)逐渐减小,直至所述第一电阻(R1)两端的电压小于所述N‑MOSFET(Q1)的门槛电压时,N‑MOSFET(Q1)退出导通,被控功率控制器件(Q3)的栅极电压由所述驱动电路前级保持,维持被控功率控制器件(Q3)处在深度饱和区。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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