[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711074742.9 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN109755175B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 袁可方;周俊卿;张海洋;王智东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有介质层；在所述介质层内形成沟槽，所述沟槽贯穿部分厚度的所述介质层；至少在所述沟槽侧壁和底部的介质层上形成保护层；形成所述保护层之后，在所述沟槽的底部形成接触孔，所述接触孔贯穿剩余厚度的所述介质层。通过所述保护层的形成，在所述接触孔的形成过程中，保护所述沟槽底部和侧壁所露出的介质层，从而有效提高所述接触孔形成之后，所述介质层的质量，有利于提高所述互连结构形成之后所述介质层的性能以及所形成互连结构的性能，有利于改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
