[发明专利]一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法有效

专利信息
申请号: 201711074790.8 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN107861884B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 吴非;谢长生;刘伟华;张猛 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/0802
代理公司: 武汉臻诚专利代理事务所(普通合伙) 42233 代理人: 宋业斌
地址: 430074 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法,包括:从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块,对于每个信息记录块而言,将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽,每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小,将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系,将被记录页的信息位写入对应的槽中。本发明根据对闪存结构分布与读写流程等特性的研究以及工程化需求,提供了一种空间高效的小容量信息位跨页存储的地址映射的方法。
搜索关键词: 一种 提高 nand 闪存 中跨页 存储 地址 映射 效率 方法
【主权项】:
一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块;(2)对于每个信息记录块而言,将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽,每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小;(3)将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系;(4)将被记录页的信息位写入对应的槽中。
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