[发明专利]铁电场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201711075067.1 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108091693B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱正勇;朱慧珑;尹晓艮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种铁电场效应晶体管及其制备方法。该铁电场效应晶体管包括衬底、源/漏极、栅堆叠和侧墙，栅堆叠由沿远离衬底的方向顺序层叠的栅介质层、下电极层、铁电层、绝缘介质层和栅极组成。由于该铁电场效应晶体管下电极和铁电层通过绝缘介质层与栅极相分离，达到在改善铁电层铁电特性的同时，还能降低下电极与栅极间的漏电的目的，借此改善器件工作特性，并保证铁电场效应晶体管的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电场效应晶体管，包括衬底(10)、源/漏极(20)、栅堆叠(30)和侧墙(40)，其特征在于，所述栅堆叠(30)由沿远离所述衬底(10)的方向顺序层叠的栅介质层(310)、下电极层(320)、铁电层(330)、绝缘介质层(340)和栅极(350)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711075067.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
