[发明专利]沟槽外延的填充方法

摘要

本发明公开了一种沟槽外延的填充方法，包括步骤：形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加的硬质掩模层；光刻定义出沟槽的形成区域并对硬质掩模层进行刻蚀；以硬质掩模层为掩模对半导体衬底进行刻蚀形成沟槽；采用湿法刻蚀工艺去除第三氧化层；形成牺牲氧化层并湿法去除；进行外延生长形成沟槽外延层填充沟槽。利用第二氮化层在去除第三氧化层和牺牲氧化层的过程中不被刻蚀的特点，使沟槽之间半导体衬底的顶部被第二氮化层覆盖，防止相邻沟槽的沟槽外延层延伸到第二氮化层的表面并相互合并，减少沟槽外延层的应力，能避免由此产生的位错，提高器件的性能。

主权项

一种沟槽外延的填充方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加形成的硬质掩模层；步骤二、光刻定义出沟槽的形成区域，采用刻蚀工艺依次去除所述沟槽的形成区域中的所述第三氧化层、所述第二氮化层和所述第一氧化层从而形成硬质掩模层开口；步骤三、以所述硬质掩模层为掩模对所述硬质掩模层开口底部的所述半导体衬底进行刻蚀形成所述沟槽；步骤四、采用湿法刻蚀工艺去除所述第三氧化层；步骤五、在所述沟槽的侧面和底部表面形成牺牲氧化层，之后采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层；步骤六、进行外延生长形成沟槽外延层填充所述沟槽，利用所述第二氮化层在去除所述第三氧化层和所述牺牲氧化层的过程中不被刻蚀的特点，使所述沟槽之间所述半导体衬底的顶部被所述第二氮化层覆盖，防止相邻所述沟槽的所述沟槽外延层延伸到所述第二氮化层的表面并相互合并，减少所述沟槽外延层的应力。