[发明专利]LDMOS及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS，漂移区包括具有第二导电类型的第二高压阱区；在漂移区表面区域中形成有第一场氧化层，第一场氧化层和沟道区之间的漂移区为积累区；漂移区还包括具有第二导电类型的第一注入区，在横向上第一注入区覆盖于漏区到沟道区的第二侧面之间，在纵向上第一注入区叠加于第一场氧化层底部的第二高压阱区上；第一注入区为独立于第二高压阱区的工艺的注入区，通过第一注入区降低漂移区的电阻并将漏区的电压更好的传递到积累区中，用于抬高积累区中的电势并增加积累区的耗尽，使积累区的电场强度增加从而提高器件的饱和电流。本发明还公开了一种LDMOS的制造方法。本发明能使器件IDVD曲线达到饱和。

主权项

一种LDMOS，其特征在于，包括：沟道区，由具有第一导电类型的第一高压阱区组成；漂移区，包括具有第二导电类型的第二高压阱区；所述沟道区的第二侧面和所述漂移区的第一侧面横向接触；在所述漂移区表面区域中形成有第一场氧化层，所述第一场氧化层的第一侧面和所述沟道区的第二侧面相隔有距离且位于所述第一场氧化层的第一侧面和所述沟道区的第二侧面之间的所述漂移区为积累区；在所述沟道区表面形成有由栅介质层和多晶硅栅组成的栅极结构，所述多晶硅栅的第二侧面向所述漂移区横向延伸并延伸到所述第一场氧化层表面；被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；由第二导电类型重掺杂区组成的源区形成于所述沟道区表面且和所述多晶硅栅的第一侧面自对准；由第二导电类型重掺杂区组成的漏区形成于所述第一场氧化层的第二侧面外的所述漂移区表面；所述漂移区还包括具有第二导电类型的第一注入区，在横向上所述第一注入区覆盖于所述漏区到所述沟道区的第二侧面之间，在纵向上所述第一注入区叠加于所述第一场氧化层底部的所述第二高压阱区上；所述第一注入区为独立于所述第二高压阱区的工艺的注入区，通过所述第一注入区降低所述漂移区的电阻并将所述漏区的电压更好的传递到所述积累区中，用于抬高所述积累区中的电势并增加所述积累区的耗尽，使所述积累区的电场强度增加从而提高器件的饱和电流。