[发明专利]LTCC基板烧结的方法有效
| 申请号： | 201711077020.9 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107910273B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;费文军;陈兴盛;李金晶;孟庆贤;俞昌忠;方航;聂庆燕;汪伦源;张丽 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;B23K31/02;B23K101/40 |
| 代理公司： | 11283 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邹飞艳;张苗 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LTCC基板烧结的方法，所述方法包括：将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件，之后对预装组件进行预热；其中，焊片的熔点为M，预热的条件包括：预热设为N个递增的温度梯度，分别为C | ||
| 搜索关键词： | ltcc 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LTCC基板烧结的方法，其特征在于，所述方法包括：/n(1)将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件，之后对预装组件进行预热；其中，焊片的熔点为M，预热的条件包括：预热设为N个递增的温度梯度，分别为C
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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