[发明专利]一种浮栅晶体管存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711079521.0 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107994022A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 韩素婷;毛靖宇;周晔 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浮栅晶体管存储器及其制备方法，所述浮栅晶体管存储器，包括柔性基板，以及自下而上设置在所述柔性基板上的漏源电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层及栅极；所述漏源电极及栅极均为柔性电极；所述浮栅层由单层二硫化钼量子制成。本发明解决了现有技术中浮栅晶体管存储器存储密度过低、柔韧性不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅晶体管存储器，其特征在于，包括柔性基板，以及自下而上设置在所述柔性基板上的漏源电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层及栅极；所述漏源电极及栅极均为柔性电极；所述浮栅层由单层二硫化钼量子制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
