[发明专利]铜铟镓硒化合物、油墨及其薄膜吸收层制备方法在审

专利信息
申请号: 201711079613.9 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN108039392A 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 陈腾 申请(专利权)人: 北京汉能薄膜发电技术有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/673;H01L31/0445
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100000 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种铜铟镓硒化合物、油墨及其薄膜吸收层制备方法,包括以下步骤:提供一真空容器,真空容器包括间隔设置的高温合成区和低温蒸发区;将铜、铟、镓单质放置在高温合成区,将硒单质放置在低温蒸发区;将高温合成区的铜、铟、镓加热至熔融状态,将低温蒸发区的硒加热至气态状态;低温蒸发区的硒开始转变为气态的时间不早于铜铟镓熔融的时间;将高温合成区和低温蒸发区保温;将高温合成区温度降至不低于铜铟镓硒合金的熔融温度并进行保温,然后将高温合成区和低温蒸发区降温至100℃以下;在上述步骤中,始终保持低温蒸发区与高温合成区之间存在正向温度梯度。
搜索关键词: 铜铟镓硒 化合物 油墨 及其 薄膜 吸收 制备 方法
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒化合物的制备方法,其特征在于:所述制备方法在一真空容器中进行,所述真空容器为L型石英管,真空容器包括高温合成区和低温蒸发区,所述L型石英管的两端分别为高温合成区和低温蒸发区,高温合成区放置盛有铜铟硒单质的石英舟,在低温蒸发区放置盛有硒单质的石英舟;将铜、铟、镓单质均匀混合后放置在高温合成区,将硒单质放置在低温蒸发区; 将高温合成区的铜、铟、镓加热至熔融状态,将低温蒸发区的硒加热至气态状态进行反应。
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