[发明专利]铜铟镓硒化合物、油墨及其薄膜吸收层制备方法在审
申请号: | 201711079613.9 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN108039392A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 陈腾 | 申请(专利权)人: | 北京汉能薄膜发电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673;H01L31/0445 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100000 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种铜铟镓硒化合物、油墨及其薄膜吸收层制备方法,包括以下步骤:提供一真空容器,真空容器包括间隔设置的高温合成区和低温蒸发区;将铜、铟、镓单质放置在高温合成区,将硒单质放置在低温蒸发区;将高温合成区的铜、铟、镓加热至熔融状态,将低温蒸发区的硒加热至气态状态;低温蒸发区的硒开始转变为气态的时间不早于铜铟镓熔融的时间;将高温合成区和低温蒸发区保温;将高温合成区温度降至不低于铜铟镓硒合金的熔融温度并进行保温,然后将高温合成区和低温蒸发区降温至100℃以下;在上述步骤中,始终保持低温蒸发区与高温合成区之间存在正向温度梯度。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 化合物 油墨 及其 薄膜 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒化合物的制备方法,其特征在于:所述制备方法在一真空容器中进行,所述真空容器为L型石英管,真空容器包括高温合成区和低温蒸发区,所述L型石英管的两端分别为高温合成区和低温蒸发区,高温合成区放置盛有铜铟硒单质的石英舟,在低温蒸发区放置盛有硒单质的石英舟;将铜、铟、镓单质均匀混合后放置在高温合成区,将硒单质放置在低温蒸发区; 将高温合成区的铜、铟、镓加热至熔融状态,将低温蒸发区的硒加热至气态状态进行反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的