[发明专利]GaN基单片功率逆变器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基单片功率逆变器及其制作方法，该功率逆变器包括：异质结外延衬底；钝化层，形成于异质结外延衬底之上，在钝化层之间存在多个空心区域；增强型功率三极管结构，形成于若干空心区域，包括：第一源极、第一漏极和第一栅极，该第一源极、第一漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第一栅极通过位于其下方的第一栅介质层与薄势垒层实现绝缘；以及耗尽型功率三极管结构，形成于其余空心区域，包括：第二源极、第二漏极和第二栅极，该第二源极、第二漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第二栅极通过位于其下方的第二栅介质层与钝化层实现绝缘或者直接接触钝化层。该功率变换器的制备工艺简单，结构多样化，提高了器件成品率。

主权项

一种GaN基单片功率逆变器，包括：异质结外延衬底，包括：GaN缓冲层和薄势垒层形成的异质结，在异质结的界面处产生二维电子气；钝化层，形成于异质结外延衬底之上，在钝化层之间存在多个空心区域；增强型功率三极管结构，形成于多个空心区域中的若干空心区域，包括：第一源极、第一漏极和第一栅极，该第一源极、第一漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第一栅极通过位于其下方的第一栅介质层与薄势垒层实现绝缘；以及耗尽型功率三极管结构，形成于多个空心区域中的其他空心区域，包括：第二源极、第二漏极和第二栅极，该第二源极、第二漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第二栅极通过位于其下方的第二栅介质层与钝化层实现绝缘或者直接接触钝化层。