[发明专利]自对准双重图案方法有效
| 申请号： | 201711082701.4 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755107B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲;林盈志;林刚毅;陈界得;张翊菁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自对准双重图案方法，其步骤包含在一硬掩模层上形成多条芯线以及位于每一芯线两侧的间隔壁、在间隔壁之间填入保护层、移除该些芯线以裸露出硬掩模层、以及以间隔壁与保护层为蚀刻掩模进行各向异性蚀刻制作工艺来移除部分的硬掩模层，使得从间隔壁之间裸露的硬掩模层的厚度等于保护层下方的硬掩模层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准双重图案方法，包含：提供一基底，该基底上形成有一硬掩模层；在该硬掩模层上形成多条芯线以及位于每一该芯线两侧的间隔壁，其中该些芯线往一第一方向延伸且该些间隔壁之间形成第一沟槽；形成一保护层填满该些第一沟槽；移除该些芯线，以在该些间隔壁之间形成第二沟槽裸露出该硬掩模层；以及以该些间隔壁以及该保护层为蚀刻掩模进行第一各向异性蚀刻制作工艺，以移除部分从该些第二沟槽裸露的该硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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