[发明专利]一种GaP纳米线及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201711083349.6 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107858754B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 董泽健;宫建茹 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/60;C30B23/08;C30B31/06;C23C14/06;C23C14/22;C23C14/34;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaP纳米线及其制备方法和用途。GaP纳米线的制备方法为：1)在导电基底上覆盖催化剂；2)将GaP粉末装入容器中；3)将导电基底和容器置于两端开口的石英管两侧，放到双温区管式炉中；4)对双温区管式炉抽真空，通保护气，加热，使第一温区升温至930℃‑1000℃，第二温区升温至620℃‑650℃，保温，得GaP纳米线。本发明还提供一种GaP/GaPN核壳纳米线，其制备方法为：将GaP纳米线置于两端开口的石英管中，放到反应炉中，抽真空，通入保护气，加热反应炉，升温至720℃‑800℃，停止抽真空并停止通入保护气，通入氨气，保温，得到核壳纳米线。本发明提供的纳米线作为光电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gap 纳米 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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