[发明专利]一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法，自下而上依次设置有衬底层、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN欧姆接触层，量子阱层自下而上包括周期性的GaN势垒层、第一变温势阱层、恒温势阱层、第二变温势阱层；本发明使LED外延结构能生长出高质量的势阱层，由于其特殊势阱结构，能够显著阻挡和扩展N型电子的注入，使得量子阱和量子垒之间的晶格匹配度增加，减少内部应力，缓解能带的弯曲，从本质上提高晶体质量和内量子效率，提高器件性能，提高出光效率10％左右。

主权项

1.一种提高势阱质量的LED外延结构，其特征在于，自下而上依次设置有衬底层、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN欧姆接触层，所述量子阱层自下而上包括周期性的GaN势垒层、第一变温势阱层、恒温势阱层、第二变温势阱层；所述第一变温势阱层是指由880‑920℃降温至730‑760℃过程中生长的InGaN层；所述恒温势阱层是指在730‑760℃温度范围内某一恒定的温度条件下生长的InGaN层；所述第二变温势阱层是指由730‑760℃升温至880‑920℃过程中生长的InGaN层；进一步优选的，所述第一变温势阱层是指由880℃降温至750℃过程中生长的InGaN层；所述恒温势阱层是指在750℃温度下生长的InGaN层；所述第二变温势阱层是指由750℃升温至880℃过程中生长的InGaN层。