[发明专利]太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法

摘要

本发明涉及太能电池领域，特别涉及太阳能电池硅片磷扩散领域。太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法，第一步沉积沉积过程，沉积过程采用恒温沉积；第二步沉积沉积过程，沉积过程采用升温沉积；第三步沉积沉积过程，沉积过程采用升温沉积。本发明采用三步沉积，并且在沉积过程中同时减少氧气增加磷源的通量，在沉积的同时进行氧化，在硅片表面形成氧化层使磷源在硅片表面充分堆积，在降低表面掺杂浓度的同时保证方阻的偏差范围满足需求。这样在推进时氧化层可有效的减少表面死层，并且在沉积过程，使磷源通量递增，改善方阻均匀性。

主权项

太阳能电池低表面磷源浓度扩散方法，其特征在于：在沉积过程采用三步沉积第一步沉积：沉积过程，保持氧气流量700‑1000sccm、氮气流量5‑10slm、三氯化氧磷流量600‑800sccm、沉积时间4‑6min、温度750‑800℃；第二步沉积：沉积过程，在第一步沉积的参数的基础上，氧气流量减少100 sccm，氮气流量和三氯化氧磷流量保持不变，沉积时间增加1 min，温度按照恒定速率在第二步沉积时间内升高10℃；第三步沉积：沉积过程，在第二步沉积的参数的基础上，氧气流量减少100 sccm，氮气流量不变，三氯化氧磷流量提高100 sccm，时间增加3 min，温度按照恒定速率在第二步沉积时间内升高5℃。