[发明专利]半导体结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种应用于存储器的半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤1）提供一半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；2）于沟槽内及半导体衬底上表面沉积金属层；及，3）将金属层进行真空环境下的高温回流处理，使得金属层发生回流以形成回流金属层填满沟槽。本发明通过在沟槽内沉积金属层后进行高温回流处理，金属层会在回流状态下自所述沟槽的开口处向所述沟槽的底部流动，从而将所述沟槽填满并确保填充于沟槽内的金属层内不会有孔洞的存在；同时，高温回流工艺会让金属原子再结晶从而形成反射率较高的高品质回流金属层，从而增强半导体器件的电迁移性能及使用寿命。

主权项

一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；2)于所述沟槽内及所述半导体衬底上表面沉积金属层；及，3)将所述金属层进行真空环境下的高温回流处理，使得所述金属层发生回流以形成回流金属层填满所述沟槽。