[发明专利]晶圆表面形貌控制系统及控制方法在审
| 申请号： | 201711085724.0 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107946191A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吕新强;林宗贤;吴孝哲;吴龙江;郭松辉;王海宽 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆表面形貌控制系统及控制方法，所述晶圆表面形貌的控制方法包括如下步骤1）提供一晶圆；2）对所述晶圆的表面进行化学机械抛光；3）依据化学机械抛光过程中对所述晶圆表面不同区域的去除情况设定刻蚀时间；4）依据所述刻蚀时间对所述晶圆表面的不同区域进行刻蚀。本发明通过依据化学机械抛光过程中对晶圆表面不同区域的去除情况设定对晶圆湿法刻蚀的刻蚀时间，湿法刻蚀过程中可以对化学机械抛光过程中对晶圆表面的形貌造成偏差进行补偿，使得湿法刻蚀后的晶圆具有良好的表面形貌，晶圆的表面形貌被有效控制在合理的工艺规格之内，避免了后续工艺中缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 形貌 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面形貌的控制方法，其特征在于，所述晶圆表面形貌的控制方法包括如下步骤：1)提供一晶圆；2)对所述晶圆的表面进行化学机械抛光；3)依据化学机械抛光过程中对所述晶圆表面不同区域的去除情况设定刻蚀时间；4)依据所述刻蚀时间对所述晶圆表面的不同区域进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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