[发明专利]非对称波形产生电路及离子迁移谱仪

摘要

本发明涉及对生化物质进行分析测定技术领域，特别是涉及一种非对称波形产生电路及离子迁移谱仪。所述非对称波形产生电路包括：用于输入任意波形的信号输入电路。与所述信号输入电路电连接的驱动电路。与所述驱动电路电连接的波形产生电路，所述波形产生电路用于产生非对称的方波波形。所述非对称波形产生电路能够产生高幅值、高频率且占空比、正负幅值比更优的非对称方波波形。 1

主权项

1.一种非对称波形产生电路，其特征在于，包括：

信号输入电路(100)；

与所述信号输入电路(100)电连接的驱动电路(200)；

与所述驱动电路(200)电连接的波形产生电路(300)，所述波形产生电路(300)用于产生非对称的方波波形。

2.如权利要求1所述的非对称波形产生电路，其特征在于，

所述波形产生电路(300)包括：相互并联的第一波形产生电路(301)和第二波形产生电路(302)；

所述第一波形产生电路(301)包括：MOSFET半桥混合电路(310)、第一电容(320)、第一电阻(330)；

所述MOSFET半桥混合电路(310)的第一端连接输入电压；

所述第一电容(320)和所述第一电阻(330)串联连接在所述MOSFET半桥混合电路(310)的第二端和所述MOSFET半桥混合电路(310)的第三端之间；

所述MOSFET半桥混合电路(310)的第三端接地。

3.如权利要求2所述的非对称波形产生电路，其特征在于，

所述MOSFET半桥混合电路(310)包括第一功率放大器(311)、第一开关管(312)、第二功率放大器(313)和第二开关管(314)；

所述第一功率放大器(311)的输入端和所述驱动电路(200)的第一输出端电连接，所述第一功率放大器(311)的输出端和所述第一开关管(312)的输入端电连接；

所述第二功率放大器(313)的输入端和所述驱动电路(200)的第二输出端电连接，所述第二功率放大器(313)的输出端和所述第二开关管(314)的输入端电连接；

所述第一开关管(312)的第一输出端为所述MOSFET半桥混合电路(310)的第一端，所述第一开关管(312)的第二输出端、第三输出端和所述第二开关管(314)的第一输出端并联作为所述MOSFET半桥混合电路(310)的第二端；

所述第二开关管(314)的第二输出端和第三输出端并联作为所述MOSFET半桥混合电路(310)的第三端。

4.如权利要求3所述的非对称波形产生电路，其特征在于，所述第一开关管(312)和所述第二开关管(314)均为氮化镓开关管。

5.如权利要求4所述的非对称波形产生电路，其特征在于，所述第一波形产生电路(301)和所述第二波形产生电路(302)的结构相同。

6.一种离子迁移谱仪，其特征在于，包括：迁移管(400)、电压补偿电路(500)，以及如权利要求1‑5中任一项所述的非对称波形产生电路(10)；

所述迁移管(400)并联于所述波形产生电路(300)的两输出端；

所述电压补偿电路(500)和所述波形产生电路(300)电连接；

所述迁移管(400)并联于所述电压补偿电路(500)的高电压输出端和低电压输出端。

7.如权利要求6所述的离子迁移谱仪，其特征在于，所述迁移管(400)为35微米的MEMS芯片。

8.如权利要求6所述的离子迁移谱仪，其特征在于，所述电压补偿电路(500)包括：补偿电压输入装置(510)、高电压端输出辅助电路(520)和低电压端输出辅助电路(530)；

所述补偿电压输入装置(510)的高压端与所述高电压端输出辅助电路(520)电连接，所述补偿电压输入装置(510)的低压端与所述低电压端输出辅助电路(530)电连接。

9.如权利要求8所述的离子迁移谱仪，其特征在于，所述高电压端输出辅助电路(520)包括：

串联在所述电压补偿电路(500)的高电压输出端和所述补偿电压输入装置(510)的高压端之间的第一电感(521)；以及

串联在所述电压补偿电路(500)的高电压输出端与接地端的第二电容(522)。

10.如权利要求8所述的离子迁移谱仪，其特征在于，所述低电压端输出辅助电路(530)包括：

串联在所述电压补偿电路(500)的低电压输出端和所述补偿电压输入装置(510)的低压端之间的第二电感(531)；以及

串联在所述电压补偿电路(500)的低电压输出端与接地端的第三电容(532)。