[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在第一金属硬掩膜层的上方先旋涂一层主要由金属氧化物形成的第二金属硬掩膜层，并在第二金属硬掩膜层上再覆盖一层盖硬掩膜层，通过盖硬掩膜层来形成多个第一开口，由此可以获得较大且形貌较好的工艺窗口，避免光刻图形直接向第二金属硬掩膜和/或第一金属硬掩膜层转移时产生的工艺窗口小、开口形貌欠佳、堆叠对准偏差、开口坍塌以及开口中有大量聚合物残留等问题，且以具有第一开口的盖硬掩膜层为掩膜来刻蚀下方相应叠层形成目标开口时，第二金属硬掩膜层的耐刻蚀性能够改善形成的目标开口的侧壁形貌，而且在目标开口形成后第二金属硬掩膜层又易于去除，能够减小所述目标开口中的刻蚀残留物的产生。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成第一金属硬掩膜层；在所述第一金属硬掩膜层的上方依次覆盖第二金属硬掩膜层和盖硬掩膜层，所述第二金属硬掩膜层的材质不同于所述第一金属硬掩膜层，且所述第二金属硬掩膜层的主要成分包括至少一种金属氧化物；图案化所述盖硬掩膜层，以在所述盖硬掩膜层中形成多个第一开口；以所述盖硬掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述第二金属硬掩膜层至所述半导体衬底的叠层至要求深度，以形成目标开口。