[发明专利]一种制备石墨烯肖特基结的方法在审

申请号：	201711086556.7	申请日：	2017-11-07
公开（公告）号：	CN108133885A	公开（公告）日：	2018-06-08
发明（设计）人：	徐安丽;王刚;陈达;郭庆磊;张楠;李久荣;向鹏程;杨思维;丁古巧	申请（专利权）人：	宁波大学
主分类号：	H01L21/285	分类号：	H01L21/285
代理公司：	上海精晟知识产权代理有限公司 31253	代理人：	廖斌
地址：	310000 浙***	国省代码：	浙江;33
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摘要：	一种制备石墨烯肖特基结的方法，包括下列步骤：(1)提供一锗衬底；(2)在该锗衬底的特定区域上旋涂形成PMMA薄膜层；(3)将该锗衬底进行第一阶段保温，排除空气、增强PMMA薄膜层中PMMA活性；(4)进行第二阶段生长，使锗衬底上的特定区域的PMMA薄膜层中PMMA的碳原子分解出来并沉积于锗衬底表面形成石墨烯；(5)使锗衬底冷却降至室温；(6)在锗衬底上长有石墨烯的特定区域和没有石墨烯的区域上分别生长一层金作为电极。本发明的有益效果为：通过在锗衬底上直接生长石墨烯，避免了转移过程，不会破坏石墨烯的优异性能，从而得到稳定的石墨烯肖特基结器件结构；免转移的制作石墨烯肖特基器件有利于降低制备成本。
搜索关键词：	石墨烯衬底肖特基结薄膜层制备肖特基器件衬底表面阶段保温阶段生长排除空气器件结构优异性能直接生长碳原子电极上旋沉积冷却分解生长制作
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【主权项】：

一种制备石墨烯肖特基结的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)提供一锗衬底，并在该锗衬底上选择一特定区域；(2)在该锗衬底的特定区域上旋涂形成PMMA薄膜层；(3)将该锗衬底放入PECVD设备的管式炉中，使管式炉中温度升至4400℃‑600℃，压力降至0.14mbar‑0.2mbar，同时对管式炉中持续通入氩气，进行第一阶段保温，持续时间10min‑60min，以排除空气、增强PMMA薄膜层中PMMA活性；(4)在管式炉中打开100W‑300W的射频，进行第二阶段生长，持续时间10min‑60min，使锗衬底上的特定区域的PMMA薄膜层中PMMA的碳原子分解出来并沉积于锗衬底表面形成石墨烯；(5)使锗衬底冷却降至室温；(6)在锗衬底上长有石墨烯的特定区域和没有石墨烯的区域上分别生长一层金作为电极，以连接石墨烯与衬底锗间形成肖特基结。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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