[发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体器件及其制造方法，在浅沟槽的侧壁上覆盖衬氧化层后并填充一定深度的第一隔离材料层后，在第一隔离材料层上方的衬氧化层侧壁上再形成一层衬介质层，使得第一隔离材料层上方的浅沟槽侧壁变厚，用于填充第二隔离材料层的窗口变窄，之后通过第二隔离材料层填满浅沟槽时，可以使得第二隔离材料层在浅沟槽顶部边缘处相对向内收缩，从而可以避免后续工艺对顶部边缘的第二隔离材料层的损伤，进而能够避免浅沟槽隔离结构顶部边缘处的边沟现象，提高浅沟槽隔离结构的隔离性能和半导体器件的可靠性。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成垫氧化层和硬掩膜层，并依次刻蚀所述硬掩膜层、垫氧化层和一定厚度的半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成浅沟槽；在所述浅沟槽的侧壁和底壁上形成衬氧化层；形成填充所述浅沟槽部分深度并暴露出所述部分深度上方的衬氧化层侧壁的第一隔离材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖在所述暴露出的衬氧化层侧壁上的衬介质层；形成填满所述浅沟槽的第二隔离材料层，所述第二隔离材料层覆盖所述衬介质层和第一隔离材料层；依次去除所述半导体衬底上的所述硬掩膜层和垫氧化层。