[发明专利]化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构的半导体衬底的设备和方法在审
| 申请号： | 201711087066.9 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108735594A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | I.梅尔尼克;P.法思;W.约斯 | 申请（专利权）人： | RCT解决方法有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 德国康*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S0)的半导体衬底(2)的设备(1)，包括带有第一工艺液体(10)的第一工艺槽(6)。第一工艺液体(10)既适于去除被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S0)，也适于通过金属辅助化学刻蚀产生织构化的表面结构(S1)。接着借助清洁装置(7)彻底清洁织构化的表面结构(S1)。接着在第二工艺槽(8)中通过第二工艺液体(18)后处理织构化的表面结构(S1)。后处理过的织构化的表面结构(S2)实现制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。本发明还涉及一种相应的用于化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S0)的半导体衬底(2)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面结构 半导体熔体 织构化 成型 工艺液体 化学处理 衬底 半导体 后处理 工艺槽 太阳能电池 化学刻蚀 金属辅助 清洁装置 低反射 高效率 去除 清洁 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学处理带有被锯割形成的表面结构的半导体衬底的设备，其包括：‑带有第一工艺液体(10)的第一工艺槽(6)，所述第一工艺液体(10)用于去除被锯割形成的表面结构(S0)和通过金属辅助化学刻蚀用于产生织构化的表面结构(S1)，‑用于对所述织构化的表面结构(S1)实施至少一次清洁的清洁装置(7)，‑带有第二工艺液体(18)的第二工艺槽(8)，所述第二工艺液体(18)用于通过化学刻蚀对于所述清洁过的织构化的表面结构(S1)进行后处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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