[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711087327.7 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107845727A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 徐洪远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂,刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括基板；源漏电极层，其形成在所述基板上；有机半导体层，其形成在所述源漏电极层上；有机绝缘层，其形成在所述有机半导体层上；电荷注入层，其形成在所述有机绝缘层上；栅电极层，其形成在所述电荷注入层上。本发明还提供了相应的制备方法。本发明的有机薄膜晶体管提供了一种新型有机薄膜晶体管结构，使有机膜晶体管器件稳定性得以提升；本发明的有机薄膜晶体管制备方法所制备的新型有机薄膜晶体管结构，使有机膜晶体管器件稳定性得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；源漏电极层，其形成在所述基板上；有机半导体层，其形成在所述源漏电极层上；有机绝缘层，其形成在所述有机半导体层上；电荷注入层，其形成在所述有机绝缘层上；栅电极层，其形成在所述电荷注入层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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