[发明专利]一种氮化碳修饰ZnO/CdS光阳极材料的制备及应用有效
申请号: | 201711089100.6 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107988615B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 刘长海;仇阳阳;陈智栋 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B11/06;B01J27/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化碳修饰ZnO/CdS光阳极材料的制备方法,及其在光电解水中的应用。该方法采用一步水热法制备氮化碳(g‑C3N4)修饰的ZnO膜,离子吸附法制备CdS纳米颗粒,经过热处理,得到g‑C3N4修饰的ZnO/CdS光阳极,提高其光电流。由于该方法采用了一步水热法制备g‑C3N4/ZnO膜,且常温下进行离子吸附CdS,反应容易控制,且吸附效果较好。通过该方法制备的g‑C3N4修饰的ZnO/CdS光阳极,其光电转化性能相比纯ZnO提高近30倍。 | ||
搜索关键词: | 修饰 氮化碳 制备 光阳极材料 离子吸附 水热法制 光阳极 光电转化性能 热处理 纳米颗粒 吸附效果 常温下 电解水 光电流 应用 | ||
【主权项】:
1.一种g‑C3N4修饰ZnO/CdS光阳极材料的方法,其特征在于,采用一步水热法,使水热合成ZnO膜的过程中负载g‑C3N4,常温下进行离子吸附CdS,提高其光电性能,其特征在于,包括以下步骤:步骤1)水热合成g‑C3N4/ZnO薄膜采用掺杂氟的二氧化锡导电玻璃(FTO),以硝酸锌的水溶液为反应溶液, 调节pH,搅拌均匀,在一定温度下水热合成,并经过热处理得到g‑C3N4/ZnO薄膜;步骤2)离子吸附CdS采用硝酸镉的乙醇溶液和硫化钠的甲醇溶液,将g‑C3N4/ZnO薄膜的导电玻璃分别浸泡在上述两种溶液中各30s,若干循环后,得到g‑C3N4/ZnO/CdS光阳极薄膜材料,并对其进行热处理。
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