[发明专利]一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法，方法包括：处理锑化镓衬底，在处理后的锑化镓衬底上依次生长锑化镓缓冲层、铟砷锑刻蚀阻挡层、p型电极接触层、p型掺杂的中波吸收层、势垒层、n型电极接势垒层，势垒层按第一预定周期数生长，其中的一个周期包括：生长砷化铟层，并以n型掺杂方式掺杂硅，在砷化铟层上依次生长锑化铟界面、锑化镓层、锑化铝层、锑化镓层以及顶层界面；该制备方法制造出的红外探测器材料，能够有效抑制因工作温度升高导致的俄歇复合，并能抑制扩散电流和隧穿电流，从而使采用该材料的探测器适用于在高温情况下对中波段红外线的探测，解决了现有技术的问题。

主权项

1.一种高温工作的红外探测器材料的制备方法，其特征在于，包括：/n按预定方式处理锑化镓衬底，得到处理后的锑化镓衬底；/n在所述处理后的锑化镓衬底上生长锑化镓缓冲层；/n在所述锑化镓缓冲层上生长铟砷锑刻蚀阻挡层；/n在所述铟砷锑刻蚀阻挡层上生长p型电极接触层；/n在所述p型电极接触层上生长中波吸收层；/n按第一预定周期数在所述中波吸收层上生长势垒层，其中，所述第一预定周期数中的一个周期包括：生长砷化铟层，在生长所述砷化铟层的过程中，以n型掺杂方式，采用硅掺杂源进行掺杂，在所述砷化铟层上生长锑化铟界面，在所述锑化铟界面上生长锑化镓层，在所述锑化镓层上生长锑化铝层，在所述锑化铝层上生长锑化镓层，在所述锑化镓层上生长顶层界面；/n在所述势垒层上生长n型电极接触层。/n