[发明专利]发光二极管结构与其制造方法有效
| 申请号： | 201711089635.3 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107658373B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 许嘉良;欧震;涂均祥;郭得山;柯丁嘉;邱柏顺 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管结构与其制造方法。其发光二极管结构包含一基板，一个或多个半导体发光叠层位于基板上，其中半导体发光叠层包含一第一半导体层，一第二半导体层与第一半导体层电性相异，及一发光层介于第一半导体层及第二半导体层之间，一第一电极在基板上，与半导体发光叠层分离，且与第一半导体层电性相连，及一第二电极在基板上，与半导体发光叠层分离，且与第二半导体层电性相连，其中，第一电极与第二电极的高度不超过半导体发光叠层的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，包含：/n基板；/n第一半导体层，位于该基板上，且具有一上表面相对于该基板；/n第二半导体层，且该第二半导体层与该第一半导体层电性相异；/n发光层，介于该第一半导体层及该第二半导体层之间，且该第二半导体层位于该基板与该发光层之间；/n第一电极，位于该上表面上；/n第一电极延伸部，位于该上表面上且与该第一电极连接；以及/n第一反射层，仅覆盖该第一电极延伸部，且未接触该上表面；/n其中，该第一反射层的反射率高于该第一电极及该第一电极延伸部，且该第一电极及该第一电极延伸部包含相同的材料；/n其中，一光线从该上表面射出。/n
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