[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，超结结构的P型柱由填充在沟槽中的P型外延层组成，N型柱由各P型柱之间的N型外延层组成，各沟槽为顶部宽底部窄的侧面倾斜结构，在纵向上N型外延层的掺杂浓度呈由顶部到底部逐级降低的阶梯分布；超结结构位于电流流动区、过渡区和终端区中；保护环氧化膜环绕在电流流动区的周侧；在保护环氧化膜和终端区的N型外延层的氧化膜外延层界面处的N型外延层中包括有一个N型掺杂浓度降低的顶部区域，通过降低顶部区域的N型掺杂浓度使氧化膜外延层界面处的N型柱的横向耗尽能力增强，使氧化膜外延层界面处的电场强度分布的均匀性提高，提高终端区承受横向电压的能力。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。

主权项

1.一种超结器件，超结器件的中间区域为电流流动区，终端区环绕于所述电流流动区的外周，过渡区位于所述电流流动区和所述终端区之间；其特征在于，包括：N型外延层，所述N型外延层中形成有多个沟槽；在所述沟槽中填充由P型外延层并组成P型柱，由各所述P型柱之间的所述N型外延层组成N型柱，由多个交替排列的所述N型柱和所述P型柱组成的超结结构；所述超结结构位于所述电流流动区、所述过渡区和所述终端区中；各所述沟槽为顶部宽底部窄的侧面倾斜结构，在纵向上所述N型外延层的掺杂浓度呈由顶部到底部逐级降低的阶梯分布；保护环氧化膜环绕在所述电流流动区的周侧并将所述电流流动区露出以及将所述过渡区全部覆盖，所述保护环氧化膜还延伸到所述终端区表面并将所述终端区全部或仅将所述终端区的最外周部分露出；在所述保护环氧化膜和所述终端区的所述N型外延层的氧化膜外延层界面处的所述N型外延层中包括有一个N型掺杂浓度降低的顶部区域，通过降低所述顶部区域的N型掺杂浓度使所述氧化膜外延层界面处的所述N型柱的横向耗尽能力增强，使所述氧化膜外延层界面处的电场强度分布的均匀性提高，提高所述终端区承受横向电压的能力。