[发明专利]一种混合钙钛矿薄膜的制备方法及其于LED的应用有效
| 申请号： | 201711090500.9 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107910456B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 魏展画 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合钙钛矿薄膜的制备方法，是将CsPbBr3和CH3NH3Br溶解于DMSO溶液中，混合均匀后通过旋涂形成厚度为100‑200nm的薄膜；其中所述CsPbBr3和CH3NH3Br的比例为1:0.2‑1.2，其中CsPbBr3的物质量溶度为0.4‑0.6M。制备的混合钙钛矿薄膜组装而成的LED器件性能优异，电流效率最高可达到77.18，最高亮度超过50,000cd m‑2，最高的外量子效率达到20.31％，极大地超越了现有技术的记录，推动了钙钛矿LED的发展，为其未来实现产业化，走进千家万户做出巨大的贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 led 应用 | ||
【主权项】：
1.一种混合钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：将CsPbBr3和CH3NH3Br溶解于DMSO溶液中，混合均匀后通过旋涂形成厚度为100‑200nm的薄膜；其中所述CsPbBr3和CH3NH3Br的比例为1:0.2‑1.2，其中CsPbBr3的物质量溶度为0.4‑0.6M。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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