[发明专利]一种非稀土掺杂新型锰铋永磁材料及其制备方法在审
申请号: | 201711092735.1 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107833725A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 张素银;张朋越;刘欣;陶姗 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01F1/047 | 分类号: | H01F1/047;H01F41/00;C22C22/00;C22C1/02;B22F9/04;B22F1/00;C22F1/02;C22F1/16 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)33283 | 代理人: | 何碧珩 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种非稀土掺杂新型锰铋永磁材料及其制备方法,该永磁材料的成分是Mn为锰元素,Bi为铋元素,M为Ta、Zr、Ga元素中的一种或几种,x满足以下关系0<x≤0.4。其制备步骤为1)按照MnBiM合金名义成分称量配料,将称得的目标成分原料混合并进行真空熔炼,然后快淬制成薄带;2)将获得的MnBiM快淬薄带高能球磨制成超微合金粉末;3)将合金粉末进行真空退火处理。本发明实现了非稀土粒子的掺杂,使得MnBi合金的矫顽力得到了提高,降低了生产成本,制备工艺操作简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 新型 永磁 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非稀土掺杂新型锰铋永磁材料,其特征是,该锰铋永磁材料的化学式为MnBi1‑xMx,其中,Mn为锰元素,Bi为铋元素,M为Ta、Zr、Ga元素中的一种或几种,x满足以下关系:0<x≤0.4。
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