[发明专利]一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法有效
| 申请号： | 201711092963.9 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107742046B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 叶雪荣;邓杰;王跃;赵建立;陈秋影;翟国富 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 继电器 单机 贮存 退化 通路 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，其特征是：它包括以下步骤：步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中；步骤五：在所述n组动作时间数据条件下，监测执行器件中的电流情况，分别确定其工作状态；步骤六：将步骤五所确定的工作状态与预期功能比较，判断是否发生潜通路；步骤七：根据步骤六中发生潜通路的工作状态所对应的继电器类单机输出状态及动作时间分布情况，计算t时刻潜通路发生的概率；步骤八：令t=t+1，返回步骤三继续分析下一时刻电路的潜通路状态，直至全部完成，输出结果。
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