[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201711096518.X | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107857774A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C07F7/02 | 分类号： | C07F7/02;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/24;C23C16/30;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 吴亦华,吕小羽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑p I其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
卤代有机氨基硅烷前体，选自二‑异丙基氨基氯硅烷、二‑仲丁基氨基氯硅烷、二‑仲丁基氨基二氯硅烷、二‑异丁基氨基氯硅烷、二‑异丁基氨基二氯硅烷、环己基甲基氨基二氯硅烷、环己基乙基氨基二氯硅烷、环己基异丙基氨基二氯硅烷、异丙基甲基氨基氯硅烷、异丙基乙基氨基氯硅烷、苯基甲基氨基氯硅烷、苯基乙基氨基氯硅烷、苯基异丙基氨基氯硅烷、异丙基甲基氨基氯硅烷、异丙基乙基氨基氯硅烷、N‑氯甲硅烷基‑3‑苯胺基丙腈、N‑氯甲硅烷基‑N‑苯基氨基乙腈、苯基环己基氨基氯硅烷、N‑(氯甲硅烷基)苯并吗啉、邻甲苯基乙基氨基氯硅烷、对甲苯基乙基氨基氯硅烷、间甲苯基乙基氨基氯硅烷、对甲苯基甲基氨基氯硅烷和邻甲苯基甲基氨基氯硅烷。
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