[发明专利]基板处理装置、喷射器以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201711097184.8 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108091594B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 古泽纯和 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置、喷射器以及基板处理方法。即使在进行急剧的气体导入的情况下也能够抑制微粒被带入处理容器内。将基板处理装置构成为具有：处理容器，其用于收容多个基板；气体供给部，其用于将气体供给到所述处理容器内；以及排气部，其用于将所述处理容器内的气体排出。该基板装置还具备用于对所述气体供给部内进行扫气的扫气部，所述气体供给部连接于所述扫气部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 喷射器 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具有：处理容器，其用于收容多个基板；气体供给部，其用于将气体供给到所述处理容器内；以及排气部，其用于将所述处理容器内的气体排出，该基板处理装置还具备扫气部，该扫气部用于对所述气体供给部内进行扫气，所述气体供给部连接于所述扫气部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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