[发明专利]一种MOS型器件的制造方法有效
| 申请号： | 201711097266.2 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107887447B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨同同;柏松;黄润华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/80 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS型器件及其制造方法，该MOS器件包括外延层，位于外延层上方的台面，位于外延层上方并分布于台面两侧的阱区域，刻蚀阱区域得到槽区域，在所得槽区域内外延生长得到源区域，在台面上方依次生长栅氧化层和栅极，在阱区域上方设置源极，外延层下方设置漏极。该MOS器件仅通过外延工艺和CMP工艺形成阱区域和源区域，而不需要离子注入工艺来进行阱和源区域的制造，可以降低离子注入带来的晶格损伤，可以精准的控制阱区域和源区域的掺杂浓度等，可以使得沟道的长度不再受光刻精度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS型器件，其特征在于：包括外延层(1)，位于外延层上方的台面(2)，位于外延层上方并分布于台面两侧的阱区域(3)，刻蚀阱区域得到槽区域(4)，在所得槽区域(4)内外延生长得到源区域(5)，在台面上方依次生长栅氧化层(6)和栅极(7)，在阱区域(3)上方设置源极(8)，外延层下方设置漏极(10)。
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