[发明专利]一种FCE二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711097975.0 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109768075B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;戴小平;罗海辉;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FCE二极管及其制造方法。所述FCE二极管包括：漂移层；位于漂移层的第一表面上的P型层；位于漂移层的第二表面上的N‑缓冲层；通过向N‑缓冲层注入N型离子而形成的N++掺杂层，其中N++掺杂层的厚度小于N‑缓冲层的厚度；通过刻蚀N++掺杂层而形成的多个N++掺杂区以及每两个相邻N++掺杂区之间的沟槽，沟槽的底部10接触所述N‑缓冲层；通过沟槽向N‑缓冲层注入P型离子而形成的不与N++掺杂区接触的P++掺杂区，其中P++掺杂区的厚度小于N‑缓冲层的厚度。采用本发明在保证较好的软恢复特性的同时提高P++掺杂区的接触效果，进而同时降低了FCE二极管阴极面的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fce 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FCE二极管，其特征在于，包括：漂移层；位于所述漂移层的第一表面上的P型层；位于所述漂移层的第二表面上的N‑缓冲层；通过向所述N‑缓冲层注入N型离子而形成的N++掺杂层，其中所述N++掺杂层的厚度小于所述N‑缓冲层的厚度；通过刻蚀所述N++掺杂层而形成的多个N++掺杂区以及每两个相邻所述N++掺杂区之间的沟槽，所述沟槽的底部接触所述N‑缓冲层；通过所述沟槽向所述N‑缓冲层注入P型离子而形成的不与所述N++掺杂区接触的P++掺杂区，其中所述P++掺杂区的厚度小于所述N‑缓冲层的厚度。
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