[发明专利]一种省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法

摘要

本发明提出一种省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，包括下列步骤：在衬底上形成隧穿氧化层；形成多晶硅浮栅层；形成介质层；形成多晶硅控制栅层；涂覆光刻胶层，定义光刻胶图案，采用干法刻蚀形成栅极结构，去除光刻胶，执行离子注入形成Flash器件轻参杂扩散区；涂覆光刻胶层，定义光刻胶图案，去除Flash器件源极上方光刻胶，执行离子注入形成Flash器件源极，再次执行离子注入，对自对准源极工艺刻蚀源极造成的源极电阻上升进行补偿；去除光刻胶，形成Flash器件栅极结构的侧墙；执行离子注入，形成Flash器件重掺杂漏区。本发明能够在不影响器件性能的情况下，省去CLDD光罩的Nor Flash器件集成工艺方法，达到降低工艺成本的目的。

主权项

一种省去CLDD光罩的NorFlash器件集成工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：在衬底上形成隧穿氧化层；在上述结构上形成多晶硅浮栅层；在上述结构上形成介质层；在上述结构上形成多晶硅控制栅层；涂覆光刻胶层，定义光刻胶图案，采用干法刻蚀形成栅极结构，去除光刻胶，执行第一次离子注入形成Flash器件轻参杂扩散区；涂覆光刻胶层，定义光刻胶图案，去除Flash器件源极上方光刻胶，执行第二次离子注入形成Flash器件源极，再次执行第三次离子注入，对自对准源极工艺刻蚀源极造成的源极电阻上升进行补偿；去除光刻胶，形成Flash器件栅极结构的侧墙；执行第四次离子注入，形成Flash器件重掺杂漏区。