[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。提供一种在其深沟槽中具有衬底接触且具有提高的特性的半导体器件。PVD金属膜，例如通过PVD形成的金属膜，用作作为贯穿n型外延层并到达其下的层的深沟槽中形成的最下层阻挡金属膜的第一阻挡金属膜。这种配置使其能在PVD金属膜和其下的硅层或硅衬底之间的边界处稳定地形成金属硅化物层，且由此稳定接触电阻。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有第一区、第二区以及第三区的衬底；形成在所述第一区中的第一元件；形成在所述第二区中的第二元件；提供在所述第三区中的第一耦合部；以及提供在所述第二区中的第二耦合部，其中所述第一耦合部在到达所述衬底的第一沟槽中具有第一导体，其中所述第二耦合部在到达所述第二元件的部件的第二沟槽中具有第二导体，其中所述第一沟槽具有大于所述第二沟槽的纵横比的纵横比，其中所述第一导体具有形成在所述第一沟槽的底表面和侧壁上的第一导电膜、形成在所述第一导电膜上的第二导电膜、形成在所述第二导电膜上的第三导电膜、以及形成在所述第三导电膜上的第四导电膜，以便填充所述第一沟槽，其中所述第二导体具有形成在所述第二沟槽的底表面和侧壁上的所述第一导电膜、形成在所述第一导电膜上的所述第二导电膜、形成在所述第二导电膜上的所述第三导电膜、以及形成在所述第三导电膜上的所述第四导电膜，以便填充所述第二沟槽，以及其中所述第一导电膜是具有第一金属并且通过物理气相沉积形成的膜。