[发明专利]裸露高指数晶面四氧化三钴的制备方法及其产品和应用有效

专利信息
申请号: 201711098484.8 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN107857306B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 何丹农;赵昆峰;张林;袁静;杨玲;蔡婷;肖蓓;金彩虹 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;B01J23/75
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种裸露高指数晶面四氧化三钴的制备方法及其产品和应用,在硝酸钴溶液中加入适量甘油,搅拌至完全溶解;滴加碳酸钠溶液调节至碱性,室温下反应得前驱体沉淀物;将沉淀物抽滤、洗涤、干燥、焙烧,得选择性裸露(311)高指数晶面Co3O4。以硝酸钴为钴源、少量甘油为结构导向剂、碳酸钠为沉淀剂,利用简单的化学沉淀法制备选择性裸露高指数(311)晶面、粒径更小、比表面积更高的Co3O4材料。该方法所得Co3O4材料在丙烷催化燃烧反应中表现出优异的活性。本发明方法具有原料易得、工艺简单、催化剂活性高等特点,具有很好的应用前景。
搜索关键词: 裸露 指数 晶面四 氧化 制备 方法 及其 产品 应用
【主权项】:
1.一种裸露高指数晶面四氧化三钴的制备方法,其特征在于:在硝酸钴溶液中加入适量甘油,搅拌至完全溶解;滴加碳酸钠溶液调节至碱性,室温下反应得前驱体沉淀物;将沉淀物抽滤、洗涤、干燥、焙烧,得选择性裸露(311)高指数晶面Co3O4;所述硝酸钴与甘油的摩尔比为1/6–9;所述滴加碳酸钠溶液调节至碱性,是指滴加碳酸钠溶液至pH值大于9;200–400℃焙烧3–6h。
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