[发明专利]氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及生长方法在审
| 申请号： | 201711099224.2 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107919392A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张东国;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及生长方法，晶体管外延结构包括衬底以及由下至上依次生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层和势垒层；AlN成核层生长在衬底表面，原位退火进行图形化处理，形成图像化AlN成核层，图形化AlN成核层的成核岛呈线性排列。本发明原位制作图形化AlN成核层，有效避免升温与降温过程中的杂质引入；同时本发明的生长方法具有简单易行、重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，包括衬底以及由下至上依次生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层和势垒层；AlN成核层生长在衬底表面，原位退火进行图形化处理，形成图像化AlN成核层。
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