[发明专利]基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用有效
申请号: | 201711099351.2 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN107808908B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 王先杰;周倩;胡昌;隋郁;宋波 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18;G01D5/26 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 贾泽纯 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用,本发明属于传感器领域,它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢,未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p‑n结结构,在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5~20nm的p型镍酸盐氧化物层,其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器,此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点,其探测范围接近日盲区范围,且光电响应速度快。 | ||
搜索关键词: | 基于 稀土 镍酸盐 掺杂 钛酸锶 异质结 材料 及其 传感器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料,其特征在于该基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p‑n结结构,在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5~20nm的p型镍酸盐氧化物层,其中所述的p型镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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