[发明专利]一种宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路

摘要

本发明公开了一种宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路，其包括偏置恒定电流源、差分输入级，以及输出电流镜，所述偏置恒定电流源包括第一PMOS管M4a、与第一PMOS管M4a匹配的第二PMOS管M5a、第三PMOS管M5b和与第三PMOS管M5b匹配的第四PMOS管M4b，所述差分输入级包括第五PMOS管M1a、与第五PMOS管M1a匹配的第六PMOS管M6a、第七PMOS管M6b和与第七PMOS管M6b匹配的第八PMOS管M1b，所述输出电流镜包括镜像对称的第一电流镜和第二电流镜，所述第一电流镜包括第一NMOS管M3a和第二NMOS管M2a，所述第二电流镜包括第三NMOS管M2b和第四NMOS管M3b。本发明具有共模输入范围宽、线性度高的特点，并且其跨导值可以调谐，能够用于实现增益可变的高线性度放大器、可调谐的Gm‑C积分器等。

主权项

一种宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路，其特征在于：其包括偏置恒定电流源、差分输入级，以及输出电流镜，所述偏置恒定电流源包括第一PMOS管M4a、与第一PMOS管M4a匹配的第二PMOS管M5a、第三PMOS管M5b和与第三PMOS管M5b匹配的第四PMOS管M4b，所述第一PMOS管M4a、第二PMOS管M5a、第三PMOS管M5b和第四PMOS管M4b的源极接电源VDD，所述第一PMOS管M4a的栅极与第二PMOS管M5a的栅极相连并共同连接到第一电流源I2a的输出端，所述第三PMOS管M5b的栅极与第四PMOS管M4b的栅极相连并共同连接到第二电流源I2b的输出端，所述第一PMOS管M4a与第四PMOS管M4b镜像对称，所述第二PMOS管M5a与第三PMOS管M5b镜像对称；所述差分输入级包括第五PMOS管M1a、与第五PMOS管M1a匹配的第六PMOS管M6a、第七PMOS管M6b和与第七PMOS管M6b匹配的第八PMOS管M1b，所述第五PMOS管M1a的源极连接到第一PMOS管M4a的漏极，漏极连接到第三电流源I1a的输出端，所述第六PMOS管M6a的源极连接到第二PMOS管M5a的漏极，漏极连接到第一电流源I2a的输出端，所述第七PMOS管M6b的源极连接到第三PMOS管M5b的漏极，漏极连接到第二电流源I2b的输出端，所述第八PMOS管M1b的源极连接到第四PMOS管M4b的漏极，漏极连接到第四电流源I1b的输出端，所述第五PMOS管M1a和第六PMOS管M6a的栅极共同连接到第一输入端，所述第七PMOS管M6b和第八PMOS管M1b的栅极共同连接到第二输入端，所述第五PMOS管M1a与第八PMOS管M1b镜像对称，所述第六PMOS管M6a与第七PMOS管M6b镜像对称；所述第五PMOS管M1a与第一PMOS管M4a的连接的路径和第八PMOS管M1b与第四PMOS管M4b的连接的路径之间设有电阻2R1；所述输出电流镜包括镜像对称的第一电流镜和第二电流镜，所述第一电流镜包括第一NMOS管M3a和第二NMOS管M2a，所述第二电流镜包括第三NMOS管M2b和第四NMOS管M3b，所述第一NMOS管M3a的漏极连接到第一输出端Iout+，源极接地，所述第二NMOS管M2a的漏极连接到第五PMOS管M1a与第一PMOS管M4a的连接的路径上，源极接地，所述第三NMOS管M2b的漏极连接到第八PMOS管M1b与第四PMOS管M4b的连接的路径上，源极接地，所述第四NMOS管M3b的漏极连接到第二输出端Iout‑，源极接地。