[发明专利]一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711101757.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107910400B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;尤立星;贾棋;张伟君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00;G01J11/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时，可以降低器件材料的临界温度，并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度，提高器件的探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 导纳 米线 光子 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调控超导纳米线的单光子探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1）提供一衬底；/n2）于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；/n3）基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器；/n其中，步骤2）包括如下步骤：/n于所述衬底表面形成超导纳米线材料层；/n于所述超导纳米线材料层表面进行离子注入，以在所述超导纳米线材料层内引入应力；/n采用光刻-刻蚀工艺对上述步骤所得到的超导纳米线材料层进行处理，以得到具有应力的所述超导纳米线；或/n步骤2）包括如下步骤：/n于所述衬底表面形成超导纳米线材料层；/n采用光刻-刻蚀工艺对所述超导纳米线材料层进行处理，以得到超导纳米线结构；/n于所述超导纳米线结构表面进行离子注入，以在所述超导纳米线结构内引入应力，从而形成具有应力的所述超导纳米线。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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