[发明专利]一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201711102268.6 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107778642A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朱佳媚 | 申请（专利权）人： | 湖南辰砾新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08L25/06;C08L79/02;C08L33/12;C08L27/06;C08L27/16;C08K13/04;C08K7/00;C08K3/34;C08K5/14;C08G73/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410217 湖南省长沙市望城经*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料及其制备方法与应用，由以下重量百分比的组分组成二硫化钼‑聚苯胺复合物20～30份，成膜基底65～80份，填料0～20份，交联剂3～7份，有机溶剂280～350份。本发明首次公开二硫化钼‑聚苯胺为半导体介质，由于二硫化钼特殊的二维纳米结构，二硫化钼与苯胺协同作用，使得在不添加导电粉体情况下，所述半导体复合材料在20℃的体积电阻率在5～13Ω·cm，应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 二硫化钼 半导体 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：由以下重量百分比的组分组成：二硫化钼‑聚苯胺复合物20～30份，成膜基底65～80份，填料0～20份，交联剂3～7份，有机溶剂280～350份。
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