[发明专利]HKMG CMP工艺模型测试结构及建模方法有效
| 申请号： | 201711102832.4 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108038260B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 姜立维;倪念慈;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HKMG CMP工艺模型测试结构，包括由最终测试图形单元排列形成的最终测试图形阵列；最终测试图形单元包括栅极测试图形阵列和量测衬底图形阵列；栅极测试图形阵列由形成于各种前置形貌表面的各种HKMG对应的HKMG测试图形排列而成；量测衬底图形阵列由量测形成于各种前置形貌表面的HKMG厚度、层间膜厚度和多晶硅厚度的厚度量测衬底图形排列而成。本发明还公开了一种HKMG CMP工艺模型的建模方法。本发明能保证HKMG CMP工艺模型的准确性以及能降低建模周期。 | ||
| 搜索关键词： | hkmg cmp 工艺 模型 测试 结构 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HKMG CMP工艺模型测试结构，其特征在于：测试结构包括由最终测试图形单元排列形成的最终测试图形阵列；所述最终测试图形单元包括栅极测试图形阵列和量测衬底图形阵列；所述栅极测试图形阵列由形成于各种前置形貌表面的各种HKMG对应的HKMG测试图形排列而成；所述量测衬底图形阵列由量测形成于各种前置形貌表面的HKMG厚度、层间膜厚度和多晶硅厚度的厚度量测衬底图形排列而成。
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