[发明专利]物理气相沉积设备以及方法在审
申请号: | 201711102842.8 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN108018536A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 瞿燕;龙吟;倪棋梁;王恺 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/50 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种物理气相沉积设备,气相沉积工艺腔包括:晶圆基座,晶圆基座内置设置有控制晶圆冷却的冷却水通路;冷却水通路分成多个独立循环区,各独立循环区分别冷却对应区域的晶圆背面,各独立循环区的冷却速率独立调节,且通过各独立循环区的冷却速率独立调节使晶圆在作业过程中各区域的冷却速率趋于一致并降低晶圆各区域在作业过程中的温差且将温差降低到不出现金属晶格缺陷。本发明还公开了一种物理气相沉积方法。本发明能控制晶圆在作业过程中各区域的温度差并减少温度差,从而能消除由于晶圆作业过程中的温度差而产生的金属晶格缺陷,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 物理 沉积 设备 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种物理气相沉积设备,其特征在于,物理气相沉积设备的气相沉积工艺腔包括:晶圆基座,所述晶圆基座的表面用于放置晶圆;所述晶圆基座内置设置有控制所述晶圆冷却的冷却水通路;所述冷却水通路分成多个独立循环区,各所述独立循环区分别冷却对应区域的所述晶圆背面,各所述独立循环区的冷却速率独立调节,且通过各所述独立循环区的冷却速率独立调节使所述晶圆在作业过程中各区域的冷却速率趋于一致并降低所述晶圆各区域在作业过程中的温差且将所述温差降低到不出现金属晶格缺陷。
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