[发明专利]大满阱容量带抗晕结构的CCD

摘要

本发明公开了一种大满阱容量带抗晕结构的CCD，所述CCD为多个像元构成的可见光帧转移结构的面阵CCD；其创新在于：单个像元包括四个转移控制栅、两个势垒区、两个势阱区和两个抗晕栅；本发明的有益技术效果是：提供了一种大满阱容量带抗晕结构的CCD，该CCD具备较大的满阱容量，像元的量子效率也较高，而且具备较强的抗晕能力，可有效提高图像的对比度和动态范围。

主权项

一种大满阱容量带抗晕结构的CCD，所述CCD为多个像元构成的可见光帧转移结构的面阵CCD；其特征在于：单个像元包括四个转移控制栅、两个势垒区(1)、两个势阱区(2)和两个抗晕栅(4)；所述势垒区(1)的周向轮廓为矩形，所述势阱区(2)的周向轮廓为矩形；所述势垒区(1)的左侧边所在方向记为A方向，与A方向垂直的方向记为B方向；势垒区(1)和势阱区(2)沿B方向排列：第一势垒区(1)的右侧边与第一势阱区(2)的左侧边相连，第一势阱区(2)的右侧边与第二势垒区(1)的左侧边相连，第二势垒区(1)的右侧边与第二势阱区(2)的左侧边相连，第二势阱区(2)的右侧边形成像元的输出侧；两个势垒区(1)和两个势阱区(2)所组成的区域记为转移区，转移区的周向轮廓为矩形；第一转移控制栅设置在第一势垒区(1)表面，第二转移控制栅设置在第一势阱区(2)表面，第三转移控制栅设置在第二势垒区(1)表面，第四转移控制栅设置在第二势阱区(2)表面；单个势垒区(1)在B方向上的尺寸为3μm，单个势阱区(2)在B方向上的尺寸为52μm，转移区在A方向上的尺寸为62μm；两个抗晕栅(4)设置在成像区的上侧；所述抗晕栅(4)的周向轮廓为矩形，抗晕栅(4)在B方向上的尺寸小于势阱区(2)在B方向上的尺寸；第一抗晕栅(4)的下侧边与第一势阱区(2)的上侧边相连，第二抗晕栅(4)的下侧边与第二势阱区(2)的上侧边相连，抗晕栅(4)位于相应势阱区(2)的中部。